非揮發性記憶體
由尖端材料和裝置研究驅動的低延遲非揮發性記憶體創新。
兩種不同的技術目前用作 CPU 所存取的記憶體：SRAM 和 DRAM。均為揮發性記憶體，意味著在電源故障或關閉時，儲存的資料將會遺失。現在正在研究和開發一種全新類別的非揮發性記憶體 (持續或儲存類記憶體，SCM)，電源中斷時資料不會遺失。
Western Digital 在非揮發性記憶體方面的努力
Western Digital 研究團隊的 NVM 小組負責評估所有候選 NVM 記憶體單元設計。
儲存單元不僅必須儲存資料，而且還必須將資料保留商業上可接受的時間。單元的速度必須落入 SCM 的目標延遲範圍內，單元的使用壽命必須滿足 SCM 的要求。單元必須可以使用目前的矽製造設備進行製造，並且如果要在資料儲存市場上取得競爭優勢，技術必須能夠擴充到越來越小的節點。
為了完成這項任務，NVM 團隊必須研究現有材料和新材料，製造儲存單元，然後測試這些單元，並根據 SCM NVM 單元的目標規範確定單元特徵。
有希望的儲存單元技術需要最佳化，沒有一個單元會在第一次檢查時滿足完整的規範，那些有希望的單元必須最佳化 (材料、製造工藝等)。此外，必須研究單元特性隨大小的變化，以確定該技術是否可擴充。
確定合適的記憶體單元後，NVM 研究團隊將與 Western Digital 的其他團隊合作，研究將技術產品化並使用它來製造產品所需的條件。這需要從整合到操作系統到建造工廠以生產新技術的各種努力。
Western Digital 納米實驗室
為了實現這些目標，研究機構建造了納米級實驗室，這在儲存和記憶體產業是獨一無二的。
該實驗室擁有一套薄膜沉積工具、模式化工具、特徵分析設備和建模功能，用於製造、研究和開髮用於納米裝置的新型材料。
然後將這些材料模式化並與其他材料重疊，以生產納米裝置和測試電路，所有這些都在同一個實驗室中進行。在另一套電氣特徵分析工具中進行的測試完成了材料開發、裝置設計、製造和測試的週期。