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Disque SSD IX SN530 NVMe
de Western Digital

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Permettre la prochaine génération d’applications industrielles à forte intensité de données et de conceptions de conduite autonome.

Basé sur la robuste architecture 3D NAND à 96 couches et tirant parti de l’architecture NVMe, le IX SN530 présente une performance et une endurance élevées pour soutenir le développement d’innovations révolutionnaires dans les applications industrielles et de conduite autonome.

Le IX SN530 est doté d’une interface NVMe™1  PCIe Gen3x4 avec un NAND de qualité industrielle pour permettre des plages de température de fonctionnement et une endurance étendues. Conçu pour offrir polyvalence et valeur à travers de multiples capacités, les facteurs de forme M.2 2230 et 2280 et le choix de configurations à cellules mono-niveaux (SLC) ou multi-niveaux (TLC) pour apporter le dernier cri en matière de conception robuste et longue durée de vie à l’espace industriel.

Détails sur le produit

Température de fonctionnement
La technologie actuelle doit pouvoir fonctionner dans une plage de températures étendue. Les dernières technologies industrielles sont conçues pour résister aux conditions climatiques allant des vagues de chaleur estivales aux tempêtes de neige hivernales ; les données recueillies par ces systèmes doivent donc résister à ces conditions difficiles. Grâce à la plage étendue de températures de fonctionnement prises en charge par le nouveau disque SSD NVMe IX SN530 (-40˚C à +85˚C), les concepteurs n'ont plus trop à se soucier de maintenir leur périphérique de stockage à des températures basses ou élevées. Ils peuvent ainsi concevoir en innovant avec une confiance et une flexibilité inébranlables.

Solution conçue pour des conditions extrêmes et difficiles
Le disque IX SN530 est conçu non seulement pour fonctionner dans une plage de températures plus étendue, mais également pour supporter des conditions extrêmes : résistance aux chocs de 1500 G à 0,5 ms et aux vibrations engendrées par une force de 20 G entre 7 Hz et 2000 Hz. Associé à une endurance maximale estimée de 24 000 To écrits/ToW pour la prise en charge des applications intensives en écriture, le disque IX SN530 est idéal pour les systèmes positionnés dans des emplacements difficiles d'accès, où les conditions peuvent changer sans prévenir.

Endurance
Pour les applications intensives en écriture telles que les enregistreurs de données, « boîtes noires » et les journaux de données, le disque IX SN530 SLC affiche une endurance maximale de 24 000 To écrits/ToW (estimation) et des performances d'écriture séquentielle soutenues allant jusqu'à 1950 Mo/s. Cela permet d'éviter le recours à plusieurs appareils TLC haute capacité en offrant 9 fois l'endurance de la technologie TLC et jusqu'à 5 fois les performances d'écriture soutenues de la technologie TLC.

Robustesse signée WD
Le disque IX SN530 est une solution de stockage de Western Digital entièrement intégrée verticalement à tous les niveaux : technologie NAND 3D 96 couches, micrologiciel et contrôleur, jusqu'au processus de validation et de qualification en interne. Solution offrant la qualité et la fiabilité attendues d'un disque SSD de qualité industrielle.

Des performances à la hauteur des exigences rigoureuses
Grâce à la technologie PCIe Gen3x4, le disque IX SN530 offre des vitesses incroyables pour répondre aux exigences de performances croissantes des environnements d'objets connectés (IoT) industriels. Avec des vitesses de lecture et d'écriture séquentielles allant respectivement jusqu'à 2400 Mo/s et 1950 Mo/s, le disque IX SN530 est aussi robuste que rapide.

Options pour les disques SSD NVMe
Grâce à deux formats au choix (M.2 2230 et M.2 2280), le disque IX SN530 offre une flexibilité précieuse aux professionnels en quête d'une solution de stockage haute capacité, mais confrontés à des contraintes de conception et de mécanique.

Points forts
●  Température de fonctionnement de -40˚C à +85˚C
●  Fréquence des vibrations en fonctionnement : 20G entre 7 et 2000 Hz
●  Capacités comprises entre 256 Go et 2 To (2 To disponible uniquement au format M.2 2280)2
●  Endurance estimée jusqu'à 5200 To écrits/ToW (TLC) et jusqu'à 24 000 ToW (SLC)3
●  Vitesses de lecture et d'écriture séquentielles pouvant atteindre respectivement 2400 Mo/s et 1950 Mo/s4
●  Configurations TLC et SLC disponibles
●  Formats M.2 2230 et M.2 2280

Applications et charges de travail
●  Robotique
●  PC industriels
●  Automatisation industrielle
●  Signalisation numérique
●  Modèles sans ventilateur
●  Équipement de mise en réseau
●  Systèmes de divertissement en vol
●  Passerelles IoT edge
●  Enregistrement de données pour système de conduite autonome
●  Dispositif de démarrage pour systèmes automobiles
●  Enregistrement de données et systèmes DVR mobiles pour les transports publics

Caractéristiques techniques

Features
  • Température de fonctionnement de -40 ˚C à +85 ˚C
  • Fréquence vibratoire de fonctionnement de 20 G à 7-2 000 Hz
  • Capacités de 256 Go à 2 To (2 To uniquement disponibles dans le format M.2 2280)
  • Endurance prévue jusqu’à 5 200 TBW (TLC) et jusqu’à 24 000 TBW (SLC)
  • Vitesse de lecture séquentielle jusqu’à 2 400 Mo/s et vitesse d’écriture jusqu’à 1 950 Mo/s
  • Configurations TLC et SLC disponibles
  • Formats M.2 2230 et M.2 2280
Capacity
256GB
Form Factor
M.2 2280
Vitesses de lecture séquentielle
2400MB/s
Vitesses d’écriture séquentielle
900MB/s
Random Read
1600004KB IOPS
Random Write
850004KB IOPS
Interface
PCIe Gen3 x4 NVMe v1.4
Warranty
Garantie limitée de 5 ans
Endurance (TBW)
650
Dimensions (L x l x H)
80mm x 22mm x 2.38mm
Poids
7.5gms
Temp. de fonctionnement
-40°C to 85°C
Non-Operating Temperature
-40°C to 95°C
Certifications
FCC, CE, UL, TUV, BSMI, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)
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Numéros du produit

256GB , M.2 2280
256GB , M.2 2230
512GB , M.2 2280
512GB , M.2 2230
1 To , M.2 2280
1 To , M.2 2230
2 To , M.2 2280
85GB , M.2 2280
85GB , M.2 2230
170GB , M.2 2280
170GB , M.2 2230
340GB , M.2 2280
340GB , M.2 2230
256GB , M.2 2280
256GB , M.2 2230
512GB , M.2 2280
512GB , M.2 2230
1 To , M.2 2280
1 To , M.2 2230
2 To , M.2 2280
85GB , M.2 2280
85GB , M.2 2230
170GB , M.2 2280
170GB , M.2 2230
340GB , M.2 2280
340GB , M.2 2230

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White Paper: How 5G, AI and IoT are Shaping Future of Storage - Western Digital and Counterpoint Research
Brochure: Industrial and IoT Storage Solutions
Brochure: Advanced Flash Storage Solutions for Automotive Applications

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Avertissements

  1. PCI Express 3.0 jusqu’à quatre voies, et un débit binaire de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s ou 8 Gb/s. Largeur de voie configurable : x1, x2 et x4. NVM Express version 1.4.
  2. Les capacités sont basées sur la spécification IDEMA HDD. Consultez www.idema.org pour plus de détails. 1 gigaoctet (Go) = 1 milliard d’octets; 1 téraoctet (To) = 1 trillion d’octets; 2 To est pris en charge par le format M.2 2280 uniquement.
  3. TBW = Teraoctets écrits. L’endurance est calculée sur la base d’une opération d’écriture séquentielle soutenue sans inactivité fréquente.
  4. Conditions d’essai : La performance est mesurée par CrystalDiskMark 6.0.0, en utilisant la gamme 1 000 MB LBA comme disque secondaire dans un ordinateur de bureau avec un processeur Intel® Core™ i7 7700, 8 Go de RAM. Système d’exploitation : Windows 10 Pro 64 bits 20H1 19041.208 avec pilote Microsoft StorNVMe. La performance de lecture séquentielle se réfère à la fois aux spécifications de rafale et soutenues.
  5. Basé sur le calcul interne de WD’, utilisant une méthodologie de prédiction conforme au rapport spécial SR-332 de Telcordia. La prédiction est basée sur une analyse des contraintes des pièces, réalisée à une température de 40 °C dans un environnement protégé à terre avec un cycle de fonctionnement de 12 heures par jour.
  6. La température opérationnelle est définie de telle sorte que -40 °C fait référence à la température ambiante. +85 °C fait référence à la température du boîtier du NAND BGA. Lorsque la température composite SMART signalée par le variateur dépasse 85 °C, l’étranglement thermique est déclenché.
  7. Le facteur de forme est conforme à la spécification PCI Express M.2, rev. 4.0. Hauteur des composants Z au-dessus du PCB <= 1,5 mm (S3).