Memori Non-Volatil

Inovasi dalam memori non-volatil dengan latensi rendah yang didukung oleh bahan mutakhir dan riset perangkat

Dua teknologi berbeda saat ini digunakan sebagai memori yang diakses oleh CPU: SRAM dan DRAM. Keduanya bersifat volatil, yang berarti data disimpan akan hilang ketika daya gagal atau dinonaktifkan. Kelas memori yang baru (Persistent or Storage Class Memory, SCM) sedang diselidiki dan dikembangkan yang bersifat non-volatil, yaitu, data tidak hilang ketika daya mati.

Storage Class Memory

Latensi sel memori merupakan ukuran waktu yang diperlukan data saat diminta oleh CPU untuk dikembaliken ke CPU; latensi berbeda-beda tergantung pada aplikasi atau kasus penggunaan serta arsitektur prosesor dan memori. Secara umum, DRAM memiliki latensi dalam rentang 15 hingga 100 nanodetik sedang NAND memiliki latensi dalam rentang 80 hingga 120 mikrodetik. Perbedaan antar latensi merupakan terget untuk “Storage Class Memory” (SCM).

Beberapa desain SCM atau memori non-volatil dengan latensi rendah dapat bersaing dengan DRAM: salah satu jenisnya adalah MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory). Teknologi lain memiliki latensi antara DRAM dan SSD, seperti PCM (Phase Change Memory) atau ReRAM (Resistive Random-Access Memory). Teknologi dan desain sel memori lainnya dijelaskan dalam literatur dengan sel baru yang sedang diselidiki di berbagai Universitas dan Laboratorium di seluruh dunia.

Upaya Western Digital dalam Memori Non-Volatil

Grup NVM di dalam tim Riset Western Digital diberi tugas untuk melakukan evaluasi semua kandidat desain sel memori NVM (Non-Volatile Memory).  

Sel memori tidak hanya harus menyimpan data, tetapi juga harus mempertahankan data selama waktu tertentu yang dapat diterima. Kecepatan sel harus sesuai dengan latensi yang menjadi target untuk SCM, dan usia pakai sel harus memenuhi persyaratan untuk SCM. Sel harus dapat diproduksi menggunakan peralatan fabrikasi silikon saat ini, dan teknologi harus dapat diskalakan ke simpul yang lebih kecil jika mau bersaing di pasar penyimpanan data.  

Untuk menyelesaikan misi ini, tim NVM harus menyelidiki bahan yang ada dan baru, membuat sel memori, dan selanjutnya menguji sel tersebut dan melakukan karakterisasi pada sel berdasarkan spesifikasi target untuk sel SCM NVM.  

Teknologi sel memori yang menjanjikan perlu dioptimalkan, tidak ada sel yang akan memenuhi spesifikasi penuh pada pengujian pertama, sel yang menjanjikan harus dioptimalkan (material/bahan, proses produksi, dsb.). Selain itu, perubahan pada properti sel dalam hal ukuran harus diselidiki untuk menentukan apakah teknologi tersebut dapat diskalakan.  

Setelah sel memori yang sesuai berhasil diidentifikasi, tim Riset NVM bekerja sama dengan tim lain di dalam Western Digital untuk menyelidiki apa yang akan diperlukan untuk memproduksi teknologi dan menggunakannya untuk menghasilkan produk. Hal ini memerlukan berbagai upaya dari integrasi ke dalam sistem operasi hingga membangun pabrik fabrikasi untuk memproduksi teknologi baru.

Lab Skala Nano Western Digital

Untuk mewujudkan tujuan ini, organisasi Riset telah membangun laboratorium skala nano, yang menjadi satu-satunya dalam industri penyimpanan dan memori.

Lab ini memiliki serangkaian peralatan endapan film tipis, alat pembuat pola, peralatan karakterisasi, dan kemampuan modeling untuk membuat, mempelajari, dan mengembangkan material baru untuk perangkat skala nano.

Bahan ini kemudian dibuat pola dan dilapisi dengan material lain untuk memproduksi perangkat skala nano dan menguji sirkuit, semuanya dalam lab yang sama. Pengujian dalam rangkaian alat karakterisasi elektrik lainnya menyempurnakan siklus pengembangan material, desain perangkat, fabrikasi, dan pengujian.

Bergabung dengan perjalanan inovasi teknologi kami