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Disque SSD NVMe IX SN530
de Western Digital

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Renforcer la prochaine génération de systèmes de conduite autonome et d'applications industrielles à usage intensif de données

Doté de l'architecture robuste NAND 3D 96 couches et tirant parti de l'architecture NVMe, le disque IX SN530 offre une endurance et des performances élevées pour donner un coup de pouce aux développements innovants d'applications industrielles et de conduite autonome.

Le disque IX SN530 dispose d'une interface NVMe™1  utilisant la technologie PCIe Gen3x4 avec une mémoire NAND de qualité industrielle afin d'offrir une endurance supérieure et des plages de températures de fonctionnement étendues. Il a été conçu pour être synonyme de polyvalence et de valeur ajoutée dans de multiples capacités, avec les formats M.2 2230 et 2280, mais aussi avec les configurations SLC ou TLC. Cette flexibilité permet de garantir à l'industrie des conceptions robustes et durables.

Détails sur le produit

Température de fonctionnement
La technologie actuelle doit pouvoir fonctionner dans une plage de températures étendue. Les dernières technologies industrielles sont conçues pour résister aux conditions climatiques allant des vagues de chaleur estivales aux tempêtes de neige hivernales ; les données recueillies par ces systèmes doivent donc résister à ces conditions difficiles. Grâce à la plage étendue de températures de fonctionnement prises en charge par le nouveau disque SSD NVMe IX SN530 (-40˚C à +85˚C), les concepteurs n'ont plus trop à se soucier de maintenir leur périphérique de stockage à des températures basses ou élevées. Ils peuvent ainsi concevoir en innovant avec une confiance et une flexibilité inébranlables.

Solution conçue pour des conditions extrêmes et difficiles
Le disque IX SN530 est conçu non seulement pour fonctionner dans une plage de températures plus étendue, mais également pour supporter des conditions extrêmes : résistance aux chocs de 1500 G à 0,5 ms et aux vibrations engendrées par une force de 20 G entre 7 Hz et 2000 Hz. Associé à une endurance maximale estimée de 24 000 To écrits/ToW pour la prise en charge des applications intensives en écriture, le disque IX SN530 est idéal pour les systèmes positionnés dans des emplacements difficiles d'accès, où les conditions peuvent changer sans prévenir.

Endurance
Pour les applications intensives en écriture telles que les enregistreurs de données, « boîtes noires » et les journaux de données, le disque IX SN530 SLC affiche une endurance maximale de 24 000 To écrits/ToW (estimation) et des performances d'écriture séquentielle soutenues allant jusqu'à 1950 Mo/s. Cela permet d'éviter le recours à plusieurs appareils TLC haute capacité en offrant 9 fois l'endurance de la technologie TLC et jusqu'à 5 fois les performances d'écriture soutenues de la technologie TLC.

Robustesse signée WD
Le disque IX SN530 est une solution de stockage de Western Digital entièrement intégrée verticalement à tous les niveaux : technologie NAND 3D 96 couches, micrologiciel et contrôleur, jusqu'au processus de validation et de qualification en interne. Solution offrant la qualité et la fiabilité attendues d'un disque SSD de qualité industrielle.

Des performances à la hauteur des exigences rigoureuses
Grâce à la technologie PCIe Gen3x4, le disque IX SN530 offre des vitesses incroyables pour répondre aux exigences de performances croissantes des environnements d'objets connectés (IoT) industriels. Avec des vitesses de lecture et d'écriture séquentielles allant respectivement jusqu'à 2400 Mo/s et 1950 Mo/s, le disque IX SN530 est aussi robuste que rapide.

Options pour les disques SSD NVMe
Grâce à deux formats au choix (M.2 2230 et M.2 2280), le disque IX SN530 offre une flexibilité précieuse aux professionnels en quête d'une solution de stockage haute capacité, mais confrontés à des contraintes de conception et de mécanique.

Points forts
●  Température de fonctionnement de -40˚C à +85˚C
●  Fréquence des vibrations en fonctionnement : 20G entre 7 et 2000 Hz
●  Capacités comprises entre 256 Go et 2 To (2 To disponible uniquement au format M.2 2280)2
●  Endurance estimée jusqu'à 5200 To écrits/ToW (TLC) et jusqu'à 24 000 ToW (SLC)3
●  Vitesses de lecture et d'écriture séquentielles pouvant atteindre respectivement 2400 Mo/s et 1950 Mo/s4
●  Configurations TLC et SLC disponibles
●  Formats M.2 2230 et M.2 2280

Applications et charges de travail
●  Robotique
●  PC industriels
●  Automatisation industrielle
●  Signalisation numérique
●  Modèles sans ventilateur
●  Équipement de mise en réseau
●  Systèmes de divertissement en vol
●  Passerelles IoT edge
●  Enregistrement de données pour système de conduite autonome
●  Dispositif de démarrage pour systèmes automobiles
●  Enregistrement de données et systèmes DVR mobiles pour les transports publics

Spécifications

Features
  • Température de fonctionnement de -40˚C à +85˚C
  • Fréquence des vibrations en fonctionnement : 20G entre 7 et 2000 Hz
  • Capacités comprises entre 256 Go et 2 To (2 To disponible uniquement au format M.2 2280)
  • Endurance estimée jusqu'à 5200 To écrits/ToW (TLC) et jusqu'à 24 000 ToW (SLC)
  • Vitesses de lecture et d'écriture séquentielles pouvant atteindre respectivement 2400 Mo/s et 1950 Mo/s
  • Configurations TLC et SLC disponibles
  • Formats M.2 2230 et M.2 2280
Capacity
256 Go
Form Factor
M.2 2280
Vitesses de lecture séquentielle
2400MB/s
Vitesses d’écriture séquentielle
900MB/s
Random Read
1600004KB IOPS
Random Write
850004KB IOPS
Interface
PCIe Gen3 x4 NVMe v1.4
Warranty
Garantie limitée de 5 ans
Endurance (TBW)
650
Dimensions (L x l x H)
80mm x 22mm x 2.38mm
Poids
7.5gms
Temp. de fonctionnement
-40°C to 85°C
Non-Operating Temperature
-40°C to 95°C
Certifications
FCC, CE, UL, TUV, BSMI, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)
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Numéros du produit

256 Go , M.2 2280
256 Go , M.2 2230
512 Go , M.2 2280
512 Go , M.2 2230
1 To , M.2 2280
1 To , M.2 2230
2 To , M.2 2280
85GB , M.2 2280
85GB , M.2 2230
170GB , M.2 2280
170GB , M.2 2230
340GB , M.2 2280
340GB , M.2 2230
256 Go , M.2 2280
256 Go , M.2 2230
512 Go , M.2 2280
512 Go , M.2 2230
1 To , M.2 2280
1 To , M.2 2230
2 To , M.2 2280
85GB , M.2 2280
85GB , M.2 2230
170GB , M.2 2280
170GB , M.2 2230
340GB , M.2 2280
340GB , M.2 2230

Ressources

Télécharger la présentation du produit
Déclaration de conformité européenne

Ressources recommandées

White Paper: How 5G, AI and IoT are Shaping Future of Storage - Western Digital and Counterpoint Research
Brochure: Industrial and IoT Storage Solutions
Brochure: Advanced Flash Storage Solutions for Automotive Applications

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Avertissements

  1. PCI Express 3.0 jusqu'à quatre voies et débit binaire de 2,5 Gbit/s, 5 Gbit/s ou 8 Gbit/s. Largeur de voie configurable : x1, x2 et x4. NVM Express version 1.4.
  2. Les capacités sont basées sur les spécifications HDD de l'IDEMA. Voir www.idema.org pour plus d'informations. 1 gigaoctet (Go) = 1 milliard d'octets ; 1 téraoctet (To) = 1000 milliards d'octets ; la capacité de 2 To est uniquement prise en charge par le format M.2 2280.
  3. ToW = téraoctets écrits. L'endurance est calculée sur la base d'une opération d'écriture séquentielle soutenue sans mise en veille fréquente.
  4. Environnement de test : Les performances sont mesurées par le test CrystalDiskMark 6.0.0 à l'aide d'une gamme LBA de 1000 Mo comme disque secondaire sur un ordinateur de bureau doté d'un processeur Intel® Core™ i7 7700 avec 8 Go de RAM. Système d'exploitation : Windows 10 Pro 64 bits 20H1 19041.208 avec le pilote Microsoft StorNVMe. Les performances de lecture séquentielle font référence à la fois aux spécifications en rafale et en continu.
  5. Sur la base de calculs internes de WD, en utilisant une méthodologie de prévision conformément au Telcordia Special Report SR-332. L'estimation est basée sur une analyse des pièces sous contraintes, réalisée à une température de 40°C dans un environnement GB (Ground Benign : à terre, environnement protégé) avec un cycle de fonctionnement de 12 heures par jour.
  6. La température de fonctionnement est définie comme suit : -40°C correspond à la température ambiante. +85°C correspond à la température du boîtier NAND BGA. Lorsque la température composite SMART signalée par le disque dépasse les 85°C, un étranglement thermique se produit.
  7. Le format est conforme à la spécification PCI Express M.2, rev. 4.0. Épaisseur des composants au-dessus du circuit imprimé (PCB) <= 1,5 mm (S3).