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Ultrastar DC HS760
Western Digital 产品

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双校准器 HDD

对于需要取得硬盘更佳性能的数据中心，Ultrastar DC HS760 是您的不二之选。

产品详情

数据中心对于 HDD 的性能要求
较大容量的硬盘能够为每个插槽提供更多存储空间，进而提供更好的 TCO。在存储大量较冷数据时尤为如此。但是，许多应用程序包含访问频率更高的暖数据。传统单校准器硬盘可一次从一个位置访问此数据。性能由该机械校准器从一个位置移动到另一个位置的速度决定。将该单校准器一分为二后，双校准器硬盘现在可一次读取或写入两个位置。通过增加每 TB 数据存储的 IOP，访问密度得到了改进。

值得信赖的可靠性和品质，适用于大规模数据
DC HS760 具有 250 万 MTBF5（预计）且提供 5 年有限质保服务，可满足现代数据中心的可靠性要求。该硬盘已针对繁重的应用程序工作负载进行了性能优化，旨在每年每 LUN 处理高达 500TB 的工作负载。信任 Western Digital 和 Ultrastar DC HS760 硬盘，为您要求严苛的数据中心应用程序提供大容量和高性能。

双校准器可提高 HDD 性能
Ultrastar DC HS760 是 Western Digital 的 20TB4 双校准器 CMR HDD，该产品以久经考验的单校准器 Ultrastar DC HC560 为基础。该硬盘利用了 Western Digital 的 2.2TB/磁盘表面密度领先能力，可在数据中心硬盘中同时提供高性能和大容量。

通过集成两个独立的校准器，DC HS760 实现了双校准器。这样一来，便可同时并行地读取或写入数据，并可提供高达两倍的顺序性能。该硬盘可通过单端口 SAS 访问，并将本身表现为双逻辑单元编号 (LUN) SAS 设备。每个 10TB LUN 可在 Linux® 下显示为独立存储卷，总共 20TB。主机应用程序可管理两个卷之间的文件存储，以更大限度提高 IOPS，进而改进整体访问密度 (IOPS/TB)。

双校准器优势1包括：
– 高达 2 倍的顺序吞吐量
– 高达 1.7 倍的随机性能2
– 能效3可提升高达 37%
 

OptiNAND™ 技术
DC HS760 采用久经考验的 OptiNAND™ 技术、ePMR 技术、三阶校准器，同时采用 HelioSeal® 技术，该技术已在超过 1 亿个硬盘中搭载。Ultrastar DC HS760 是采用 OptiNAND 技术的第 3 代平台，将 iNAND® 通用闪存存储 (UFS) 嵌入式闪存 (EFD) 与传统旋转磁盘介质集成。

ArmorCache™ 是由 OptiNAND 支持的一项功能，整合了启用写入缓存 (WCE) 模式的性能与禁用写入缓存 (WCD) 模式的数据保护，在两种场景下均达到理想状态。在 WCE 模式下运行时，ArmorCache 确保 DRAM 缓存在 EPO 时安全写入，没有数据丢失。在 WCD 模式下运行时，硬盘将确保 DRAM 中的所有用户数据在 EPO 时均安全写入，并且硬盘将以与 WCE 同等的性能运行。现在，性能和数据保护在 WCE 和 WCD 模式下相当。

完整规格

Features
  • 数据中心对于 HDD 的性能要求
  • 更高的 HDD 性能
  • 值得信赖的可靠性和品质，适用于大规模数据
容量
20 TB
Form Factor
3.5 Inch
接口
SAS
Disk Speed (RPM)
7200rpm
Recording Technology
CMR
Warranty
5 年有限质保
尺寸（长 × 宽 × 高）
147.07mm x 101.6mm x 26.16mm

产品编号

资源

评分与评价

信息披露

  1. * 相比 20TB Ultrastar DC HC560 HDD
  2. 随机读写 50/50
  3. IOPS/瓦特，随机读写 70/30
  4. 1GB = 10 亿字节，1TB = 1 万亿字节。实际用户可用容量可能较少，具体取决于操作环境。
  5. 预估值。最终 MTBF 和 AFR 规格基于抽样总体，并且在此硬盘型号的典型操作条件（传统工作负载和 40°C 设备报告的温度）下根据统计测量和加速算法估计所得。超过以下参数会导致 MTBF 和 AFR 减少：每年最高 550TB，设备温度为 60°C（设备报告的温度）。MTBF 和 AFR 评级不会预测单个硬盘的可靠性，也不构成保修条件。