비휘발성 메모리

최첨단 재료와 장치 연구를 통해 지연 시간을 단축하는 비휘발성 메모리의 혁신

현재 두 가지 기술이 CPU에서 액세스하는 메모리로 SRAM 및 DRAM이 사용되고 있습니다. 둘 다 휘발성이므로 전원이 꺼지거나 고장나면 저장된 데이터가 손실됩니다. 새로운 차원의 메모리인 비휘발성 영구 또는 SCM(스토리지 클래스 메모리)이 연구 및 개발되고 있습니다. 즉, 전원이 차단되어도 데이터가 손실되지 않습니다.

SCM(스토리지 클래스 메모리)

메모리 셀의 지연 시간은 CPU가 요청한 데이터를 CPU에 반환하는 데 걸리는 시간을 측정한 것입니다. 지연 시간은 프로세서 및 메모리의 아키텍처뿐만 아니라 애플리케이션 또는 사용 사례에 따라 달라집니다. 일반적으로 DRAM의 지연 시간은 15~100나노초이고 NAND의 지연 시간은 80~120나노초입니다. 지연 시간 간의 차이가 ‘SCM(스토리지 클래스 메모리)’이 지향하는 목표입니다.

지연 시간이 짧은 SCM 또는 비휘발성 메모리의 일부 설계는 DRAM과 견줄만 합니다. 이 중 하나는 MRAM(Resistive Random-Access Memory)이며, DRAM과 SSD 간에 지연 시간이 있는 다른 기술은 PCM(Phase Change Memory) 또는 ReRAM(Resistive Random Access Memory) 등이 있습니다. 다른 기술과 메모리 셀 설계는 문헌에 기술되어 있으며 전 세계의 대학과 연구소에서 이전에 볼 수 없던 새로운 셀과 함께 연구되고 있습니다.

비휘발성 메모리 분야에서 Western Digital의 노력

Western Digital 연구팀의 NVM 그룹은 NVM 메모리 셀 설계 후보 모두를 평가하는 업무를 맡고 있습니다. 

메모리 셀은 데이터를 저장할 뿐만 아니라 상업적으로 허용되는 시간 동안 데이터를 보관할 수 있어야 합니다. 셀의 속도는 SCM에서 목표한 시간을 초과해서는 안 되며 셀의 수명은 SCM의 요구 사항을 충족해야 합니다. 셀은 반도체 제조 장비를 사용하여 제조할 수 있어야 하며, 데이터 스토리지 시장에서 경쟁력을 갖추려면 기술은 더욱더 작은 노드로 확장할 수 있어야 합니다. 

NVM 팀은 이 목표를 달성하기 위해 기존 및 새로운 재료를 연구하고 메모리 셀을 제작한 후에 이 셀을 테스트하며, SCM NVM 셀의 목표 사양에 따라 셀의 특성을 파악해야 합니다. 

성공할 가능성이 있는 메모리 셀 기술을 최적화해야 하는데, 첫 번째 검사에서 완전한 사양을 갖춘 셀은 없겠지만 가능성이 있는 셀은 최적화해야 합니다(재료, 제조 과정 등). 또한 기술의 확장성 여부를 판단하기 위해서는 크기에 따른 셀 속성의 변화를 연구해야 합니다. 

적합한 메모리 셀을 찾으면 NVM 연구팀은 Western Digital의 다른 팀과 협력하여 기술을 제품화하기 위해 무엇이 필요한지 연구하고 이를 통해 제품을 생산해야 합니다. 여기에는 운영 체제로의 통합에서 새로운 기술을 생산하기 위한 제조 공정 구축에 이르기까지 많은 노력이 필요합니다.

Western Digital 나노스케일 연구실

연구 기관에서는 이러한 목표를 이루기 위해 스토리지 및 메모리 산업에서 고유한 나노스케일 연구실을 설립했습니다.

이 연구실은 나노스케일 장치를 위한 새로운 재료를 제작, 연구, 개발하기 위한 증착 도구, 패터닝 도구, 특성 분석 장비, 모델링 역량을 갖추고 있습니다.

일정 재료를 패터닝하고 다른 재료와 오버레이하여 나노스케일 장치를 제작하고 회로를 테스트하는 작업이 모두 동일한 연구실에서 진행됩니다. 여러 전기적 특성 분석 도구에서 테스트하는 작업을 통해 재료 개발, 장치 설계, 제작, 테스트 과정을 완료합니다.

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